IBMの相変化メモリのブレークスルーにより、DRAMのスピードを低コストで実現

IBMの科学者は、相変化メモリ(PCM)のブレークスルーを達成し、DRAMのスピードと耐久性を備えたストレージ機能を開発しています。これは、低コストの密度のフラッシュにも近づきます。

火曜日にチューリッヒで発表した研究チームは、PCMで1セルあたり3ビットのデータを正常に保存しており、これまでのPCMの1ビットあたりの制限を超えています。

「相変化メモリは、DRAMとフラッシュの両方の特性を備えたユニバーサルメモリの最初の具体化であり、したがって、業界の大きな課題の1つに答えるものです」と、紙の著者であり不揮発性メモリ研究の責任者であるHaris PozidisチューリッヒのIBMリサーチは、声明で述べた。

PCMには、現在のメモリ環境に比べていくつかの明確な利点があります。たとえば、DRAMのように電源がオフのときにデータを失うことはなく、平均USBスティックで約3000を処理できる間に少なくとも1,000,000回の書き込みサイクルに耐えることができます。

IBMは、スタンドアロンのPCMアプリケーションと、PCMとフラッシュストレージの組み合わせを想定していると語っている。たとえば、携帯電話のOSをPCMに保存して、数秒でデバイスを起動させることができます。一方、エンタープライズデータベース全体をPCMに保存してクエリ処理を高速化し、機械学習アルゴリズムを大規模なデータセットで高速化することができます。

PCM技術は、ガラス状材料に高い電流または低い電流を印加することによって機能する。ビットに記憶するために、材料に高または中電流が印加される。ビットを読み取るために、低電圧が印加される。これは、書き換え可能なBlu-rayディスクにビデオを保存する方法です。

マルチビット・ストレージを実現するために、IBMの科学者は、ドリフト・トレラント・コーディングおよび検出方式と同様に、ドリフト・イミュニティ・セル状態メトリックのセットを開発しました。

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